2024年西安电子科技大学半导体物理考研大纲已公布！801半导体物理考研大纲内容包括半导体晶体结构和缺陷、半导体中的电子状态等。小编为大家整理出半导体物理考研大纲，感兴趣的同学们千万不要错过！

　　一、总体要求
　　“半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。重点掌握半导体的晶体结构、半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律的计算等。
　　二、知识要点
　　（一）半导体晶体结构和缺陷
　　半导体的分类及其特点，半导体的性质及导电能力对外界因素的依赖性，半导体化学键的性质和半导体的晶体结构，金刚石与闪锌矿结构的特点及其各向异性。
　　（二）半导体中的电子状态
　　半导体中电子状态与能带，半导体中的电子运动与有效质量，空穴，回旋共振原理与作用，Si的回旋共振实验结果，常用元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。
　　（三）半导体中杂志和缺陷能级
　　半导体中的杂质和缺陷，元素半导体中的杂质和缺陷能级，化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。
　　（四）半导体中载流子的统计分布
　　状态密度，分布函数、Fermi能级，载流子统计分布，本征和杂质半导体的载流子浓度，补偿半导体的载流子浓度，简并半导体
　　（五）半导体的导电性
　　载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率与杂质浓度和温度的关系，强场效应与热载流子
　　（六）非平衡载流子
　　非平衡状态，非平衡载流子的产生与复合，非平衡载流子寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，非平衡载流子载流子的扩散与漂移，爱因斯坦关系，连续性方程
　　三、考试形式
　　1、考试时间：180分钟。
　　2、试卷分值：150分。
　　3、考试方式：闭卷考试。
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