北京航空航天大学研究生招生网已经发布了2024年统考硕士自命题科目考试大纲,为了方便各位同学复习,学姐给大家整理了官方发布的2024年北京航空航天大学811集成电路类专业综合考研大纲的详细内容,同学们一定要仔细查看,以便有针对性的复习!

模拟电路部分(满分50分)
一.复习内容及基本要求
1.CMOS模拟电路的大信号特性分析
主要内容:MOS管的大信号模型、MOS管的工作区。
CMOS模拟电路的直流大信号分析,CMOS模拟电路中的晶体管工作状态分析。
基本要求:掌握原理,理解概念,分析计算电路参数。
2.CMOS模拟电路的低频小信号特性分析
主要内容:MOS管的低频小信号模型、CMOS模拟电路的低频性能参数。
共源级、源随器、共栅级、共源共栅级、差分放大器、电流镜和五管跨导运算放大器(OTA)等CMOS模拟电路的低频性能参数的计算与分析,包括增益、输入电阻、输出电阻、摆幅和共模抑制比等。
基本要求:掌握原理,理解概念,分析计算电路参数。
3.CMOS模拟电路的频率特性分析
主要内容:MOS管的高频小信号模型、CMOS模拟电路的频率响应参数。
CMOS模拟电路的频率响应参数的计算与分析,包括传输函数、零点、极点、带宽、增益带宽积等;波特图的绘制方法。
基本要求:掌握原理,理解概念;在给定详细电路图的条件下,能够分析基本CMOS模拟电路的频率响应,并能够绘制波特图。
4.运算放大器(运放)及负反馈
主要内容:运放主体模块的设计,负反馈放大电路的特性。
运放主体模块的设计步骤,包括套筒式共源共栅运放、折叠式共源共栅运放和密勒补偿型两级运放;负反馈对放大电路性能的影响,开环增益、闭环增益、环路增益等指标的含义;负反馈放大电路的稳定性分析。
基本要求:掌握原理,理解概念;给定一组性能指标和一种运放电路结构(套筒式共源共栅运放、折叠式共源共栅运放和密勒补偿型两级运放中的一种),能够设计满足指标要求的运放;能够判断负反馈放大电路的稳定性,并进行稳定性补偿。
5.MOS晶体管的噪声与失调
主要内容:MOS管的噪声模型、MOS管的失调模型、运放的非理想因素输入等效变换
MOS晶体管中闪烁噪声和热噪声的基本模型,随机性失配的因素;等效输入噪声和等效输入失配的换算方法;非理想因素优化的基本思路;随机性失调对运放算法电路(比例运算、加减法等)的影响。
基本要求:掌握原理,理解概念;对于一个给定参数的噪声或失配模型,能够根据模型及电路进行等效输入的换算。
二.建议参考但不限于:
1.Behzad Razavi著,陈贵灿、程军、张瑞智、张鸿译,模拟CMOS集成电路设计(第2版),西安交通大学出版社(2018年)。
数字电路部分(满分50分)
一.复习内容及基本要求
1.布尔代数与逻辑函数
主要内容:逻辑代数的基本定理、定律和运算方法。
由简单逻辑命题建立函数的基本方法。
逻辑函数的几种描述方式(含:表达式、真值表、卡诺图、原理图等)。
化简逻辑函数的基本方法。
基本要求:掌握原理,理解概念,掌握描述及化简方法。
2.组合逻辑电路
主要内容:组合逻辑电路分析和设计的一般方法。
根据组合逻辑电路图分析出组合逻辑函数,同时能够根据逻辑表达设计组合逻辑电路。同时,掌握不同的CMOS设计方法,如静态互补CMOS设计、动态CMOS设计。
常见的组合逻辑电路分析与设计:如布尔逻辑门、编码器、译码器、数据选择器、数值比较器、加法器、乘法器、移位器等,能够分析延时与功耗,并掌握相应的优化方法。
基本要求:掌握原理,理解概念,掌握组合逻辑电路的分析和设计方法,认识常见的组合逻辑电路,能够分析和设计相关的电路。
3.时序逻辑电路
主要内容:同步时序逻辑电路分析和设计的一般方法。
异步时序电路分析的特点以及初步的设计方法。
常见时序逻辑电路的组成,以及任意进制计数器、序列信号发生器等时序逻辑设计的方法。
基本要求:掌握原理,理解概念,掌握同步时序电路和异步时序电路的分析和设计方法,认识常见时序逻辑电路,能够设计任意进制计数器和序列信号发生器。
4.触发器、存储器与可编程逻辑器件
主要内容:触发器、存储器与可编程逻辑器件的基本原理与结构。
掌握常见的触发器的基本原理与结构,能够分析相应的功能与行为特性。
常见的触发器与存储器:如电平触发的触发器,脉冲触发的触发器,边沿触发的触发器等,掌握其逻辑功能与描述方案,理解相应的静态特性与动态特性。
常见的存储器:如只读存储器ROM、静态存储器SRAM、动态存储器DRAM等。
常见的可编程逻辑器件:如PAL、GAL、FPGA等。
基本要求:掌握原理,理解结构,掌握相应的分析与设计方法。
5.脉冲波形的产生与变换
主要内容:施密特触发器、单稳态触发器、多谐振荡器的特性及分析方法。
相关电路的实现形式和设计方法。
基本要求:掌握原理,理解概念,掌握多种触发器和振荡器电路特性,具备相关电路的设计能力。
二.建议参考但不限于:
1.阎石主编,数字电子技术基础(第六版),高等教育出版社(2016年)。
2.Jan M.Rabaey等著,周润德等译,数字集成电路:电路、系统与设计(第二版),电子工业出版社,2017
半导体物理与器件部分(满分50分)
一.复习内容及基本要求
1.半导体物理
主要内容:半导体物理基础知识
能带的概念,区分导带与价带,区分电子与空穴,有效质量,态密度,费米狄拉克分布函数,平衡态下的载流子分布,扩散与漂移,产生与复合
基本要求:掌握原理,理解概念,会进行基本的计算。
2.PN结二极管
主要内容:平衡态下的PN结电势分布、空间电荷区与载流子分布,非平衡态下的PN结电势分布、空间电荷区与载流子运动,PN结的小信号模型
基本要求:掌握原理,理解概念,会计算PN结的空间电荷区、电势分布、电流和电容。
3.MOSFET场效应晶体管
主要内容:MOS电容的积累、平带与反型,MOS电容的交流响应,MOSFET的电流公式,MOSFET的阈值电压。
基本要求:掌握原理,理解概念,会计算MOS在不同情况下的电容,会计算MOSFET的电流和阈值电压
二.建议参考但不限于:
1.黄如等译,半导体器件基础,电子工业出版社(2004年);
2.施敏等著,半导体器件物理,西安交通大学出版社(2008年)。
以上信息来源:北京航空航天大学研究生招生网。
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