有意向报考西安电子科技大学的同学们都清楚801半导体物理考研复习大纲吗?只有了解考试大纲,才能制定更精准的考研复习计划,提炼学科的重点考试范围,下面是小编为大家整理的半导体物理考研复习大纲,还不清楚如何备考的考生们快来看看吧!
西安电子科技大学801半导体物理考研大纲
  一、考试要点
  (一)半导体晶体结构和缺陷
  半导体的分类及其特点,半导体的性质及导电能力对外界因素的依赖性,半导体化学键的性质和半导体的晶体结构,金刚石与闪锌矿结构的特点及其各向异性。
  (二)半导体中的电子状态
  半导体中电子状态与能带,半导体中的电子运动与有效质量,空穴,回旋共振原理与作用,Si的回旋共振实验结果,常用元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。
  (三)半导体中杂志和缺陷能级
  半导体中的杂质和缺陷,元素半导体中的杂质和缺陷能级,化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。
  Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的杂质能级
  等电子杂质与等电子陷阱
  半导体中的缺陷与位错能级
  (四)半导体中载流子的统计分布
  状态密度,分布函数、Fermi能级,载流子统计分布,本征和杂质半导体的载流子浓度,补偿半导体的载流子浓度,简并半导体
  (五)半导体的导电性
  载流子的漂移运动,迁移率,载流子的散射,迁移率与杂质浓度和温度的关系,电阻率与杂质浓度和温度的关系,强场效应与热载流子
  (六)非平衡载流子
  非平衡状态,非平衡载流子的产生与复合,非平衡载流子寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效应,非平衡载流子载流子的扩散与漂移,爱因斯坦关系,连续性方程
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